美光在這份聲明中指出，作為一家擁有全球業(yè)務(wù)的美國企業(yè)，美光尊重并遵守美國及各營運(yùn)據(jù)點(diǎn)所在國家的所有法律與法規(guī)，目前已暫停向華為供貨，以遵從美國政府的相關(guān)管制規(guī)定。

　　此外，美光還發(fā)函要求各大模組廠配合，不準(zhǔn)將使用美光存儲芯片做成的模組、內(nèi)存卡或固態(tài)硬盤等相關(guān)存儲產(chǎn)品，直接或間接供貨給華為及其關(guān)系企業(yè)。盡管美國商務(wù)部在5月20日向美光發(fā)放臨時許可證，以保證截至5月16日前在市場上銷售的、含有美光零件的華為產(chǎn)品不受影響。這張來自美國商務(wù)部臨時許可證，只能夠確保華為產(chǎn)品16日（含16日）為止的出貨。

　　美光下半年?duì)I收或?qū)⒋蠓禄?/p>

　　根據(jù)美光的財(cái)報顯示，截至2019財(cái)年上半年，美光公司有13％營收是來自于華為，因此，美光公司正在評估可行方案，以減輕對公司業(yè)務(wù)造成的預(yù)期影響。

　　也就是說，如果不考慮其他因素的影響，僅因中斷與華為的合作的影響，美光下半年的營收可能就將會減少13％。

　　另外需要指出的是，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，今年第一季度DRAM價格跌幅從原先預(yù)估的下跌20～25％，擴(kuò)大到了30％左右，是2011年以來單季最大跌幅。集邦科技對DRAM后市看法保守，預(yù)計(jì)第2季度價格仍將逐月走低，整季跌幅將逼近25％。

　　而美光在暫停向華為供貨后，或?qū)⒁l(fā)DRAM市場價格進(jìn)一步下行壓力，而這也必然將導(dǎo)致美光下半年?duì)I收的進(jìn)一步下滑。盡管美光強(qiáng)調(diào)，將調(diào)整策略減輕沖擊，但也增加市場對于價格持續(xù)下跌的預(yù)期心理。

　　對華為影響幾何？

　　從彭博社此前的數(shù)據(jù)顯示，華為的全球前十大供應(yīng)商（從采購金額來看）分別是富士康、比亞迪、臺積電、歐菲光、FIH Mobile、偉創(chuàng)力、SK海力士、博通、高通和舜宇。其中只有一家存儲芯片廠商，那就是SK海力士，排名第7。也就是說，在所有存儲供應(yīng)商當(dāng)中，華為對于SK海力士的依賴程度，要遠(yuǎn)高于三星、美光、東芝等存儲廠商。

　　美光宣布暫停向華為供貨！影響幾何？

　　從目前整個DRAM內(nèi)存市場份額來看，一季度三星營收額為69．7億美元，較上季度下滑26．3％，占據(jù)了42．7％的市場份額，排名第一。SK海力士第一季營收48．8億美元，較上季衰退31．7％，市場份額為29．9％，排名第二。美光維持第三位，營收為37．6億美元，較上季下滑30．0％，市占率維持在約23％左右。

　　對于華為來說，DRAM供應(yīng)商的可選擇性相對較小，主要都是集中在三星、SK海力士和美光這三家之間，因此華為在DRAM的采購上，對于美光還是存在著一定的依賴，但是并不是不可替代。

　　另外兩大DRAM廠商三星和SK海力士，完全有能力接下美光吐出的華為訂單。但是考慮到目前DRAM市場價格的持續(xù)下滑，三大DRAM廠商可能會考慮通過減少產(chǎn)能來提振市場價格。此前，三星、美光、SK海力士等公司都曾宣布計(jì)劃削減2019年的資本支出以減少NAND Flash、DRAM 的產(chǎn)能。而這或許會使得三星、SK海力士對華為DRAM的供應(yīng)受到一定的影響。

　　在NAND Flash市場方面，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，目前全球前五大 NAND Flash 供應(yīng)商分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、 SK 海力士，其中排名第四的美光市場份額為15％。不過，美光斷供華為，對其NAND Flash的供應(yīng)影響較小。此前華為的主力機(jī)型的存儲芯片主要都是由三星、SK海力士、東芝等廠商供應(yīng)。

　　正如前面所提及的，在存儲廠商當(dāng)中，華為對于SK海力士的依賴程度最高，其次應(yīng)該就是三星，而隨著美光的斷供，這也意味著華為對于SK海力士和三星的依賴程度將會進(jìn)一步的提升。而未來美方禁令未來是否也會對三星和SK海力士產(chǎn)生影響，這也成為了決定未來華為能否持續(xù)正常運(yùn)轉(zhuǎn)的關(guān)鍵。

　　雖然，目前國內(nèi)的長江存儲的32層3D NAND FLASH已經(jīng)量產(chǎn)，年底有望量產(chǎn)64層3D NAND FLASH（明年將會挑戰(zhàn)128層3D NAND FLASH，有望追上國外主流的水平）。在DRAM內(nèi)存芯片方面，合肥長鑫存儲的DRAM內(nèi)存芯片也有望在今年四季度量產(chǎn)。但是，目前國產(chǎn)DRAM、NAND Flash與國外廠商無論是在技術(shù)，還是在產(chǎn)能上，都有著不小的差距，對于目前的華為來說，國產(chǎn)存儲廠商尚難以提供足夠的助力。不過，卻給華為提供了最后的保障。